11月23日，中关村“火花”活动“半导体技术领域成果转化专场路演”在中关村前孵化创新中心举办，活动聚焦半导体新材料、新器件、新计算范式等领域。由北京科技成果转化服务中心主办，北京首都科技发展集团投资管理有限公司承办，邀请来自清华大学集成电路学院、中国科学院半导体研究所、投资及金融机构20余人参加。

在路演环节，中国科学院半导体研究所的张亦韵博士介绍了“新型氧化镓衬底”项目。项目技术源头来自中国科学院半导体所张姚团队，旨在通过利用新型氧化镓衬底制备技术，为第四代半导体材料和器件技术发展奠定基础。

中国科学院半导体研究所的肖晔博士介绍了“微波光子伊辛机”项目。该项目研发基于光电参量振荡的微波光子伊辛机，颠覆传统数字计算范式对组合优化问题的求解方法，由“深度学习”走向“强化学习”。通过采用新型微波与光波融合的计算路径，将脉冲载频搬运到微波频段，颠覆现有伊辛机的脉冲加载方式，实现计算规模、运行稳定性和求解问题复杂度量级上的提升，为大规模、多变量、多类型组合优化问题高效求解提供全新方案，引领伊辛机实用化发展。

清华大学集成电路学院姚鹏博士介绍了“功率器件（SiC MOSFET，Si IGBT）及模组产业化”项目。姚博士介绍到，随着我国新能源产业的迅猛发展，针对功率器件的需求快速上升，但供给主要依赖进口，大功率MOSFET、IGBT等领域的国产化率很低，当前时点是功率器件国产替代的重要窗口期。其项目拟通过自研SiC MOSFET，Si IGBT及其模组并产业化，实现在大功率MOSFET、IGBT领域的国产替代。

在点评环节，3位行业专家围绕企业融资需求、空间载体需求、成果研发等内容给与点评。此次活动的成功开展为供需双方拓宽了对接渠道，为科技成果赋予了更多应用场景，也为成果转化的促进落地增加了更大可能性。